Производитель Номер продукта:
IPF13N03LA G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPF13N03LA G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-23
Инвентаризация:
468 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801257
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
fVks
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPF13N03LA G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1043 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
46W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-23
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPF13N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPF13N03LAGINTR
IPF13N03LAINTR-DG
IPF13N03LAGXTINTR-DG
IPF13N03LAINCT-DG
IPF13N03LA
IPF13N03LAINTR
IPF13N03LAGXT
IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINTR-NDR
IPF13N03LAGINCT-NDR
SP000017610
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAGXTINTR
IPF13N03LAGINCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPL65R420E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
